Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade

Authors

  • Antonio Newton Borges
  • Francisco AP. Pinto osório

DOI:

https://doi.org/10.20435/multi.v0i6.1302

Abstract

Estudos das propriedades de elétrons confinados em hetero estruturas semi condutoras de dimensionalidade reduzida como poços quânticos, heterojunções, fios quânticos e pontos quânticos compostos principalmente de GaAs-AlGaAs. Uma especial atenção é dada para os efeitos de muitos corpos, como, por exemplo, o cálculo da energia das excitações coletivas de um gás de elétrons confinados em fios quânticos. Também estamos interessados no cálculo das energias de ligação e da energia de transição entre os níveis de uma impureza doadora confinada nestes sistemas, considerando os efeitosdo acoplamento elétron-fonon longitudinal óptico e interfacial óptico, bem como o efeito de campos elétricos e magnéticos sobre os estados eletrônicos. Temos também estudado a estrutura eletrônica de hetero estruturas semi condutoras não dopadas, com dopagem modulada e com dopagem tipo delta sob a ação de campos elétricos e magnéticos externos. Nesses sistemas estamos principalmente interessados em suas propriedades ópticas e no tunelamento ressonante de elétrons e buracos em poços quânticos duplos.

Published

2016-08-10

How to Cite

Borges, A. N., & Pinto osório, F. A. (2016). Propriedades eletrônicas de estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. Multitemas, (6). https://doi.org/10.20435/multi.v0i6.1302

Issue

Section

Artigos